RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
33
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
3215
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
INTENSO 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link