RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
3324
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link