RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
2900
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link