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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
40
Rund um -43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
13.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2035
3007
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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