RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
2817
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link