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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
38
Rund um 34% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
14900
Rund um 1.72 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
10.9
Speicherbandbreite, mbps
14900
25600
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2696
2829
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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