RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
58
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
14.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
3379
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link