RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
37
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2812
2389
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C10D3L/8G 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link