RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
51
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.3
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2878
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link