RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
51
Rund um -82% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3566
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link