RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
51
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2609
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link