RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
41
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
7.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1335
2068
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link