Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Unterschiede

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Einen Fehler melden
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    50 left arrow 63
    Rund um -26% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.3 left arrow 7.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.9 left arrow 5.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 10600
    Rund um 2.42 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    63 left arrow 50
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    7.7 left arrow 15.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.0 left arrow 10.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1130 left arrow 2512
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche