Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Gesamtnote
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Gesamtnote
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Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    26 left arrow 28
    Rund um 7% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.1 left arrow 6.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.7 left arrow 12.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 10600
    Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    26 left arrow 28
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.3 left arrow 13.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.1 left arrow 6.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1952 left arrow 2312
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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