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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gesamtnote
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
6.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1952
2312
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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