RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
37
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
15.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
3800
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link