RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
37
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
12.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2459
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link