RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
37
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
14.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
3017
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link