RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
37
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
10.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2900
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link