RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
37
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
10.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2828
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link