Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

Gesamtnote
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB

Unterschiede

  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 5300
    Rund um 1.21% höhere Bandbreite
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    67 left arrow 92
    Rund um -37% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2 left arrow 2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,273.3 left arrow 1,266.1
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    92 left arrow 67
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2,105.4 left arrow 2,857.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,266.1 left arrow 1,273.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    339 left arrow 344
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