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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
36
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
14.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
3443
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
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