RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
62
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
1,698.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.7
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,698.0
16.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
520
3754
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link