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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
54
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
14.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
3422
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
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Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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