RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
54
81
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
81
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
7.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
1668
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link