RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
54
Rund um -108% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
16.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
3876
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link