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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
54
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
12.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
3288
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
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