RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
54
Rund um -80% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
5300
Rund um 4.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
13.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
23400
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
3310
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B88B0NF-DI 4GB
INTENSO 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link