RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
13.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
64
Rund um -156% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
13.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
3377
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link