RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Gesamtnote
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
11.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2226
2648
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link