RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
42
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
3049
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link