RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
44
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
5.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
1660
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F3-14400CL9-2GBFLS 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link