RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
55
71
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
14.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2665
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link