RAM-Vergleich Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Gesamtnote

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

35 71

Rund um -103% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.9 1,322.6

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 5300

Rund um 3.21 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

399 2200

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns