Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Gesamtnote
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Gesamtnote
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2 left arrow 12.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 71
    Rund um -129% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.4 left arrow 1,322.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 5300
    Rund um 3.62 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    71 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2,831.6 left arrow 12.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,322.6 left arrow 9.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    399 left arrow 2361
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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