Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB

Gesamtnote
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Gesamtnote
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AMD R744G2400U1S-UO 4GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    35 left arrow 66
    Rund um 47% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 8.5
    Durchschnittswert bei den Tests
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Gründe für die Berücksichtigung
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.7 left arrow 13.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 12800
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    35 left arrow 66
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.7 left arrow 16.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 8.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2312 left arrow 1912
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RAM 1
RAM 2

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