RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
35
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
17.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
4069
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
CompuStocx (CSX) Compustocx (CSX) 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link