RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Panram International Corporation M424051 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation M424051 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
97
Rund um 64% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation M424051 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
97
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
11.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
5.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
1270
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link