RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Vergleichen Sie
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Gesamtnote
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
39
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
1,597.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,022.9
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,597.0
13.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
753
3100
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM-Vergleiche
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link