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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Gesamtnote
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
63
69
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.0
4.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.3
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
63
69
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
6.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.0
4.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1274
1148
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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