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PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
71
Rund um 62% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
4.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
27
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
6.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
4.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
1130
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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