RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
79
Rund um -163% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
1,468.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
79
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,061.8
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,468.1
17.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
422
3773
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link