RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
5.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
43
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
11.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
5.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2285
1884
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link