RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
43
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
9.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2285
1778
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link