RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
49
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
10.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.6
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2181
2504
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link