RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
42
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.2
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2181
2468
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link