RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
31
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
17.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1932
3711
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Mushkin 996902 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link