RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
40
Rund um -90% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1806
3167
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link