RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
72
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
1728
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link