RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
58
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
9.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
7.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
2172
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link