RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Gesamtnote
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
31
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
11.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1751
2865
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link